Бази даних


Наукова періодика України - результати пошуку


Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
у знайденому
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (3)Реферативна база даних (44)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій



Пошуковий запит: (<.>A=Lytvyn O$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 36
Представлено документи з 1 до 20
...
1.

Huzhevska L. A. 
The field definition efficiency uses of piggyback transportation for cost parameter [Електронний ресурс] / L. A. Huzhevska, O. V. Lytvyn // Управління проектами, системний аналіз і логістика. Технічна серія. - 2012. - Вип. 10. - С. 322-327. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Upsal_2012_10_58
Попередній перегляд:   Завантажити - 432.752 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Ivashchenko V. 
Structure and Properties NbN and Nb-Si-N Deposited by Magnetron Sputtering [Електронний ресурс] / V. Ivashchenko, O. Lytvyn, P. Scrynskyy, V. Rogoz, O. V. Sobol, A. P. Kuzmenko // Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties. - 2014. - Vol. 3, no. 1. - С. 01NTF22-01NTF22. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/princon_2014_3_1_40
Попередній перегляд:   Завантажити - 918.104 Kb    Зміст випуску     Цитування
3.

Belyaev A. E. 
The features of temperature dependence of contact resistivity of Au Ti Pd2Si p+-Si ohmic contacts [Електронний ресурс] / A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, L. M. Kapitanchuk, R. V. Konakova, V. P. Kladko, Ya. Ya. Kudryk, A. V. Kuchuk, O. S. Lytvyn, V. V. Milenin, T. V. Korostinskaya, A. B. Ataubaeva, P. V. Nevolin // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 1. - С. 8-11. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_1_4
We consider the features of formation of Au - Ti - Pd ohmic contacts to <$E p sup +>-S. Metallization was made by vacuum thermal sputtering of Pd, Ti and Au films onto the Si substrate heated up to 330 <$E symbol Р>C. It is shown that the contact resistivity increases wil temperature; this is typical of metallic conductivity. We suggest that the ohmic contact formed owing to appearance of shunts at Pd deposition on dislocations or other structural defects. The number of shunts per unit area is close to the measured density of structural defects at the metal - Si interface.
Попередній перегляд:   Завантажити - 527.135 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Lytvyn P. M. 
Ultrasonic assisted nanomanipulations with atomic force microscope [Електронний ресурс] / P. M. Lytvyn, O. Ya. Olikh, O. S. Lytvyn, O. M. Dyachyns'ka, I. V. Prokopenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 1. - С. 36-42. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_1_9
Demonstrated experimentally in this work was the possibility of controlled handling the nanoparticles with the size from 50 up to 250 nm on a semiconductor surface by using an atomic force microscope under conditions of acoustic excitation. It has been shown that the selective transport of particles of a certain size is possible owing to the change of an ultrasonic vibration amplitude. Also in this study, possible mechanisms in which ultrasound may influence the particle-surface interaction and the probe-particle (surface) interaction have been analyzed.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.198 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
5.

Grytsenko K. 
SERS of dye film deposited onto gold nano-clusters [Електронний ресурс] / K. Grytsenko, Yu. Kolomzarov, O. Lytvyn, T. Doroshenko, V. Strelchuk // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 2. - С. 151-153. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_2_9
Gold nanoclusters were obtained by co-deposition of and polytetrafluoroethylene (PTFE) in vacuum with various gold concentrations. The films deposited were undergone to heating at various temperatures in air. Transformation of ensemble morphology after heating was studied using atomic force microscope (AFM). Raman scattering spectra of an ultra-thin film of Rhodamine 6G deposited onto substrates with gold nano-clusters of different morphology were recorded. The best substrate gave strong amplification of the Raman scattering signal from Rhodamine 6G film. Therefore, produced Au nano-clusters are suitable for surface enhanced Raman scattering spectroscopy of nano-quantities of material.
Попередній перегляд:   Завантажити - 921.063 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
6.

Grytsenko K. 
Growth and optical properties of dye films and dye-in-polymer matrix deposited by vacuum evaporation [Електронний ресурс] / K. Grytsenko, T. Doroshenko, Yu. Kolomzarov, O. Lytvyn, M. Serik, O. Tolmachev, Yu. Slominski, S. Schrader // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 2. - С. 177-179. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_2_16
Searching new more effective materials for organic electroluminescent displays is continuing. The polymethine dyes is a class of organic materials that are very interesting for these purposes. Films of the polymethine dyes were deposited by evaporation in vacuum. Also deposited were dye-filled polytetrafluoroethylene (PTFE) films. Kinetics of growth and heating the films were observed using optical spectroscopy in situ. It was found out the influence of the chemical structure of dyes on growth and heating kinetics of the dye films. It was found that PTFE matrix strongly enhances dye stability.
Попередній перегляд:   Завантажити - 851.43 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
7.

Kiselov V. S. 
Simple method for SiC nanowires fabrication [Електронний ресурс] / V. S. Kiselov, O. S. Lytvyn, V. O. Yukhymchuk, A. E. Belyaev // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 1. - С. 7-11 . - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_1_4
In this work, we introduce a simple and convenient approach for growing SiC nanowires (SiCNWs) directly on carbon source from graphite. The commercial SiO powder and the cheap common graphite were used as the source materials. SiCNWs have been synthesized during holding time less than 60 - 80 min at 1450 - 1500 <$E symbol Р>C by using a simple and low-cost method in an industrial furnace with a resistant heater.
Попередній перегляд:   Завантажити - 480.117 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
8.

Bratus' O. L. 
Structural properties of nanocomposite SiO2(Si) films obtained by ion-plasma sputtering and thermal annealing [Електронний ресурс] / O. L. Bratus', A. A. Evtukh, O. S. Lytvyn, M. V. Voitovych, V. O. Yukhymchuk // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 2. - С. 247-255. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_2_23
The nanocomposite SiO2(Si) films containing Si nanoclusters inside insulating SiO2 matrix are promising for many nanoelectronics applications. The ion-plasma sputtering of Si in O2 containing gas mixture and following thermal annealing have been used to form nanocomposite SiO2(Si) films. The structural properties of the obtained films have been studied using several methods. Among them, there were ellipsometry, IR spectroscopy, Raman spectroscopy, and AFM. Transition of SiOx matrix into insulating SiO2 matrix has been revealed by IR spectroscopy. The shift of the transmittance spectra toward high frequency region and the increase in their intensity have been observed. The existence of amorphous and nanocrystalline phases into SiO2(Si) films have been confirmed using Raman spectroscopy. Two material phases on the film surface, namely SiO2 and Si, and surface density of silicon nanoclusters have been determined using AFM. It was shown that the size of silicon nanoclusters and their surface density depend on the level of enrichment with silicon of the initial SiOx film after ion-plasma sputtering and the temperature of subsequent annealing.
Попередній перегляд:   Завантажити - 988.185 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
9.

Lytvyn P. M. 
Mechanical scanning probe nanolithography: modeling and application [Електронний ресурс] / P. M. Lytvyn, O. S. Lytvyn, O. M. Dyachyns'ka, K. P. Grytsenko, S. Schrader, I. V. Prokopenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 4. - С. 321-327. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_4_5
Попередній перегляд:   Завантажити - 800.432 Kb    Зміст випуску     Цитування
10.

Steblova O. V. 
Transformation of SiOx films into nanocomposite SiO2(Si) films under thermal and laser annealing [Електронний ресурс] / O. V. Steblova, A. A. Evtukh, O. L. Bratus', L. L. Fedorenko, M. V. Voitovych, O. S. Lytvyn, O. O. Gavrylyuk, O. Yu. Semchuk // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2014. - Vol. 17, № 3. - С. 295-300. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2014_17_3_17
Попередній перегляд:   Завантажити - 3.062 Mb    Зміст випуску     Цитування
11.

Strelchuk V. V. 
Micro-Raman study of nanocomposite porous films with silver nanoparticles prepared using pulsed laser deposition [Електронний ресурс] / V. V. Strelchuk, O. F. Kolomys, B. O. Golichenko, M. I. Boyko, E. B. Kaganovich, I. M. Krishchenko, S. O. Kravchenko, O. S. Lytvyn, E. G. Manoilov, Iu. M. Nasieka // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 1. - С. 46-52. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_1_10
Nanocomposite porous fdms with silver nanoparticle (Ag NP) arrays were prepared by the pulsed laser deposition from the back flux of erosion torch particles in argon atmosphere on the substrate placed at the target plane. Preparation conditions of the films were set by argon pressure, energy density of laser pulses, their amount and substrate position relatively to the torch axis. The films were prepared with gradient thickness, variable Ag NP sizes and distance between them along the length of substrate as well as corresponding maxima in the spectra of local surface plasmon absorption. Plasmon effects of the Raman scattering enhance in the matter of the Ag NP shell gave the opportunity to register the spectral bands caused by an extremely small quantity of silver compounds with oxygen and carbon. The possible nature of individual bands in the Raman spectrum was analyzed. The obtained results are important for interpretation of the Raman spectra of analytes based on the prepared SERS substrates.
Попередній перегляд:   Завантажити - 485.998 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
12.

Dranchuk M. V. 
Effect of substrate temperature on structural, optical and electrical properties of al-doped zinc oxide thin films deposited by layer-by-layer method at magnetron sputtering [Електронний ресурс] / M. V. Dranchuk, A. I. Ievtushenko, V. A. Karpyna, O. S. Lytvyn, V. R. Romanyuk, V. M. Tkach, V. A. Baturin, O. Y. Karpenko, V. M. Kuznetsov, V. I. Popovych // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2015. - Т. 12, № 1. - С. 5-12. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2015_12_1_3
Легированные алюминием тонкие пленки ZnO (AZO) выращены на кремниевых и стеклянных подложках с помощью метода послойного роста в магнетронном распылении при разной температуре подложки. Анализ с помощью атомно-силовой микроскопии показал, что пленки AZO являются очень гладкими со средним значением среднеквадратичной шероховатости 2,3 нм. В результате проведения энерго-дисперсионного рентгеновского анализа установлено, что содержание алюминия в пленках AZO составляет примерно 1 ат. %. Рентгеновские исследования показали, что все легированные алюминием пленки ZnO является поликристаллическими с гексагональной структурой вюрцита с осью с ориентированной перпендикулярно плоскости пленки (002). Оптические измерения показали, что все только выращенные пленки имеют высокую прозрачность (84 %) в видимой области спектра и имеют энергетическую щель 3,34 - 3,41 эВ, что свидетельствует о их хорошем оптическом качестве. Наименьшее значение сопротивления составило <$E1,7~cdot~10 sup -2 ~roman {Ом~cdot~см}> для пленки AZO, выращенной при температуре подложки <$E350~symbol Р roman C>.
Попередній перегляд:   Завантажити - 694.012 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
13.

Shtepliuk I. I. 
Influence of growth conditions on structural and optical properties of Zn0.9Cd0.1O films [Електронний ресурс] / I. I. Shtepliuk, G. V. Lashkarev, V. V. Khomyak, O. S. Lytvyn, P. D. Marianchuk, I. I. Timofeeva, A. I. Evtushenko, V. I. Lazorenko // Ukrainian journal of physics. - 2012. - Vol. 57, № 6. - С. 653-660. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2012_57_6_13
Досліджено вплив потужності магнетрона та співвідношення тисків робочих газів Ar/O2 на мікроструктуру та оптичні властивості плівок Zn0,9Cd0,1O. Плівки осаджено за допомогою методу магнетронного розпилювання на постійному струмі за температури підкладки 250 градусів за Цельсієм. Дослідження морфології поверхні, здійснені за допомогою атомно-силової мікроскопії, та рентгенофазовий аналіз (РФА) виявили сильний вплив технологічних параметрів осадження на мікроструктуру плівок. РФА показав, що всі вирощені плівки є полікристалічними й однофазними. Встановлено, що зростання парціального тиску аргону в газовій суміші Ar:O2 сприятливо впливає на кристалічну структуру твердих розчинів Zn0,9Cd0,1O. Розглянуто особливості контролю ширини забороненої зони та морфології поверхні твердих розчинів Zn0,9Cd0,1O шляхом зміни параметрів вирощування.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.469 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
14.

Karachevtsev V. A. 
Glucose oxidase immobilization onto carbon nanotube networking [Електронний ресурс] / V. A. Karachevtsev, A. Yu. Glamazda, E. S. Zarudnev, M. V. Karachevtsev, V. S. Leontiev, A. S. Linnik, O. S. Lytvyn, A. M. Plokhotnichenko, S. G. Stepanian // Ukrainian journal of physics. - 2012. - Vol. 57, № 7. - С. 700-709. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2012_57_7_5
Зазначено, що під час створення біологічних сенсорів з використанням одностінних вуглецевих нанотрубок (ОВНТ) треба вирішити таку важливу проблему, як іммобілізація молекули, яка повинна розпізнати мішень, на поверхні нанотрубок. Проведено іммобілізацію ферменту глюкозооксидаза (ГОК) на поверхню сітки нанотрубок, яку одержано шляхом осадження нанотрубок з їх розчину у діхлорбензолі за допомогою спрей-методу. У ролі молекулярного інтерфейсу застосовано сукцинімідний ефір 1-піренбутанової кислоти (ПСЕ), біфункціональна молекула якого забезпечує хімічний зв'язок з оболонкою ферменту, а друга її частина (піренова) адсорбується на поверхню нанотрубки. Використання такого молекулярного інтерфейсу виключає, з одного боку, пряму адсорбцію ферменту на поверхню нанотрубки, яка знижує його активність, а з другого, забезпечує локалізацію ферменту поблизу нанотрубки. Порівняння спектрів резонансного комбінаційного розсіювання світла (РКРС) нанотрубок з їх спектром в оточенні ПСЕ вказує на створення наногібриду молекулою ПСЕ з нанотрубкою, що надає підставу для подальшої іммобілізації ферментів. Оскільки спектри РКРС плівок ОВНТ:ПСЕ:ГОК суттєво не відрізняються від спектрів ОВНТ:ПСЕ, то можна стверджувати, що молекулярний інтерфейс ПСЕ достатньо міцно ізолює фермент від нанотрубки. Ефективну іммобілізацію ферменту ГОК поблизу вуглецевої нанотрубки завдяки ПСЕ підтверджено за допомогою зображень, одержаних атомно-силовим мікроскопом. Молекулярна динаміка дозволила встановити структури одержаних нанобіогібридів та енергії міжмолекулярної взаємодії між компонентами потрійного комплексу у водному оточенні. Досліджено провідні властивості сітки ОВНТ з адсорбованими молекулами ПСЕ та ГОК. Адсорбція молекул ПСЕ на сітку з ОВНТ супроводжується зменшенням провідності, яке, скоріш за все, пов'язано з появою розсіювальних центрів для носіїв заряду у нанотрубках.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.314 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
15.

Smirnov A. B. 
Role of mechanical stresses at ion implantation of CdHgTe solid solutions [Електронний ресурс] / A. B. Smirnov, O. S. Lytvyn, V. A. Morozhenko, R. K. Savkina, M. I. Smoliy, R. S. Udovytska, F. F. Sizov // Ukrainian journal of physics. - 2013. - Vol. 58, № 9. - С. 872-880. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2013_58_9_12
Надано результати систематичних досліджень структурних, оптичних та електричних властивостей напівпровідникових гетероструктур <$E n- {roman Cd} sub x {roman Hg> sub 1-x roman {Te "/" CdZnTe}> (x ~ 0,223) до та після опромінення іонами B<^>+ і Ag<^>+ (100 кeВ, доза імплантації <$E Q~=~3~cdot~10 sup 13> см<^>-2). Здійснено математичне моделювання процесу іонної імплантації із застосуванням програмного пакета TRIM_2008. Встановлено, що в результаті опромінення на поверхні досліджуваних зразків відбувається утворення характерного рельєфу, а в приповерхневій області - шару з відмінними від матриці оптичними характеристиками. В результаті імплантації епітаксійних шарів CdxHg1-xTe іонами бору та срібла з однаковою енергією та дозою утворюється суттєво відмінний за характером пошкодження та товщиною порушений шар з максимальними механічними напруженнями, що відрізняються на 2 порядки величини. Одержано значення коефіцієнта стискання <$E beta> кристалічної гратки та механічних напружень <$E sigma sub maks> в області радіаційного розупорядкування твердого розчину. Обговорено роль механічних напружень легованого шару у перерозподілі дефектів і формуванні постімплантаційних властивостей Cd0,223Hg0,777Te.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.098 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
16.

Ivashchenko V. I. 
Comparative investigation of NbN and Nb–Si–N films: experiment and theory [Електронний ресурс] / V. I. Ivashchenko, P. L. Scrynskyy, O. S. Lytvyn, O. O. Butenko, O. K. Sinelnichenko, L. Gorb, F. Hill, J. Leszczynski, A. O. Kozak // Сверхтвердые материалы. - 2014. - № 5. - С. 29-43. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/sm_2014_5_4
Зазначено, що NbN і Nb-Si-N плівки осаджували на кремнієві пластини за допомогою методу магнетронного розпилення мішеней Nb і Si за різних потужностей розряду на мішені із Nb. Плівки досліджено за допомогою атомно-силового мікроскопа, дифракції рентгенівських променів, рентгенівської фотоелектронної спектроскопії, нано- і мікроіндентування. NbN плівки були наноструктуровані, тоді як Nb-Si-N плівки являли агрегацію <$E delta>-NbNx нанокристалітів, вкраплених в аморфну Si3N4 матрицю (nc-<$E delta>-NbNx/a-Si3N4). Відпал плівок у вакуумі показав, що їх інтенсивне окиснення відбувається при температурі вищій, ніж 600 <$E symbol Р>С. Для пояснення експериментальних результатів по Nb-Si-N плівках проведено моделювання NbN (001)/Si3N4 гетероструктури із перших принципів в межах молекулярної динаміки.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.531 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
17.

Ivashchenko V. I. 
Comparative investigation of NbN and Nb–Si–N films: experiment and theory [Електронний ресурс] / V. I. Ivashchenko, P. L. Scrynskyy, O. S. Lytvyn, O. O. Butenko, O. K. Sinelnichenko, L. Gorb, F. Hill, J. Leszczynski, A. O. Kozak // Сверхтвердые материалы. - 2014. - № 6. - С. 29-43. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/sm_2014_6_4
Зазначено, що NbN і Nb-Si-N плівки осаджували на кремнієві пластини за допомогою методу магнетронного розпилення мішеней Nb і Si за різних потужностей розряду на мішені із Nb. Плівки досліджено за допомогою атомно-силового мікроскопа, дифракції рентгенівських променів, рентгенівської фотоелектронної спектроскопії, нано- і мікроіндентування. NbN плівки були наноструктуровані, тоді як Nb-Si-N плівки являли агрегацію <$E delta>-NbNx нанокристалітів, вкраплених в аморфну Si3N4 матрицю (nc-<$E delta>-NbNx/a-Si3N4). Відпал плівок у вакуумі показав, що їх інтенсивне окиснення відбувається при температурі вищій, ніж 600 <$E symbol Р>С. Для пояснення експериментальних результатів по Nb-Si-N плівках проведено моделювання NbN (001)/Si3N4 гетероструктури із перших принципів в межах молекулярної динаміки.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.531 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
18.

Chegel V. I. 
Plasmon-enhanced fluorometry based on gold nanostructure arrays. Method and device [Електронний ресурс] / V. I. Chegel, V. K. Lytvyn, A. M. Lopatynskyi, P. E. Shepeliavyi, O. S. Lytvyn, Yu. V. Goltvyanskyi // Semiconductor physics quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 3. - С. 272-278. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_3_8
In this work, we describe a method of surface-enhanced fluorometry, based on the phenomenon of localized surface plasmon resonance in unordered gold nanostructure arrays. The theoretical approach for the model system "gold nanoparticle-dielectric spacer" in the electrostatic approximation by solution of Laplace's equation is considered. The developed technology for manufacturing the plasmonic substrates as well as design of the novel laser-based compact fluorometer are presented. The arrays of gold nanostructures on solid substrates (nanochips) coated with different thicknesses of SiO2 were developed and fabricated by thermal annealing of gold island films with subsequent dielectric spacer deposition. As an example for verification of the proposed method, the fluorescence properties of the system "gold nanostructures array - SiO2 dielectric coating - Rhodamine 6G" were studied. It has been shown that enhancement of dye emission up to 22 times for dielectric coating with the thickness of about 20 nm is possible. Presented method is of importance for the development of the novel nanoscale sensors, biomolecular assays and nanoplasmonic devices.
Попередній перегляд:   Завантажити - 486.635 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
19.

Malanych G. P. 
The influence of ethylene glycol on the chemical interaction of PbTe and Pb1–xSnxTe crystals with H2O2–HBr–ethylene glycol etching compositions [Електронний ресурс] / G. P. Malanych, V. M. Tomashyk, O. S. Lytvyn // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 1. - С. 91-95. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_1_15
The process of cutting, mechanical and chemical treatment of the PbTe and Pb1-xSnxTe crystal surface has been studied. The dependences of the chemical-mechanical polishing rate versus dilution of the base polishing etchant H2O2 - HBr - ethylene glycol by the ethylene glycol have been determined. The surface states after chemical etching have been investigated using electron, metallographic and atomic force microscopy as well as X-ray microanalysis. It has been shown that the surface state is improved after chemical etching. Efficient methods for washing the samples after different types of PbTe and Pb1-xSnxTe surface treatment (cutting the crystal, mechanical surface treatment, chemical removing the surface damaged layer) have been developed.
Попередній перегляд:   Завантажити - 262.057 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
20.

Karachevtsev V. A. 
Glucose oxidase immobilization onto carbon nanotube networking [Електронний ресурс] / V. A. Karachevtsev, A. Yu. Glamazda, E. S. Zarudnev, M. V. Karachevtsev, V. S. Leontiev, A. S. Linnik, O. S. Lytvyn, A. M. Plokhotnichenko, S. G. Stepanian // Український фізичний журнал. - 2012. - Т. 57, № 7. - С. 700-709. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2012_57_7_5
Зазначено, що під час створення біологічних сенсорів з використанням одностінних вуглецевих нанотрубок (ОВНТ) треба вирішити таку важливу проблему, як іммобілізація молекули, яка повинна розпізнати мішень, на поверхні нанотрубок. Проведено іммобілізацію ферменту глюкозооксидаза (ГОК) на поверхню сітки нанотрубок, яку одержано шляхом осадження нанотрубок з їх розчину у діхлорбензолі за допомогою спрей-методу. У ролі молекулярного інтерфейсу застосовано сукцинімідний ефір 1-піренбутанової кислоти (ПСЕ), біфункціональна молекула якого забезпечує хімічний зв'язок з оболонкою ферменту, а друга її частина (піренова) адсорбується на поверхню нанотрубки. Використання такого молекулярного інтерфейсу виключає, з одного боку, пряму адсорбцію ферменту на поверхню нанотрубки, яка знижує його активність, а з другого, забезпечує локалізацію ферменту поблизу нанотрубки. Порівняння спектрів резонансного комбінаційного розсіювання світла (РКРС) нанотрубок з їх спектром в оточенні ПСЕ вказує на створення наногібриду молекулою ПСЕ з нанотрубкою, що надає підставу для подальшої іммобілізації ферментів. Оскільки спектри РКРС плівок ОВНТ:ПСЕ:ГОК суттєво не відрізняються від спектрів ОВНТ:ПСЕ, то можна стверджувати, що молекулярний інтерфейс ПСЕ достатньо міцно ізолює фермент від нанотрубки. Ефективну іммобілізацію ферменту ГОК поблизу вуглецевої нанотрубки завдяки ПСЕ підтверджено за допомогою зображень, одержаних атомно-силовим мікроскопом. Молекулярна динаміка дозволила встановити структури одержаних нанобіогібридів та енергії міжмолекулярної взаємодії між компонентами потрійного комплексу у водному оточенні. Досліджено провідні властивості сітки ОВНТ з адсорбованими молекулами ПСЕ та ГОК. Адсорбція молекул ПСЕ на сітку з ОВНТ супроводжується зменшенням провідності, яке, скоріш за все, пов'язано з появою розсіювальних центрів для носіїв заряду у нанотрубках.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.326 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
...
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського